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N沟道增强型18A/200V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-10-21 11:16

N沟道增强型18A/200V MOSFET 
  海飞乐技术18N20A4是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET,它可以降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。
 
18N20A4
快速开关
低导通电阻(Rdson≤0.12Ω)
低栅极电荷(24nC)
低反向传输电容(25pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
 
18N20A4应用:
逆变器
去频闪
通信电源
PC电源开关电路
 
N沟道增强型18A/200V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型18A/200V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型18A/200V MOSFET电参数
N沟道增强型18A/200V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型18A/200V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型18A/200V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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