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IRFB31N20DPBF现货参数应用及PDF资料下载

作者:海飞乐技术 时间:2021-01-14 17:09

  IRFB31N20DPBF场效应管,200V/31A,导通电阻0.082Ω,TO-220封装。低开关损耗,快速的开关转换速率。应用于高频DC-DC转换器。
 
IRFB31N20DPBF应用
高频DC-DC转换器
无铅
 
IRFB31N20DPBF特性
低栅、漏极,减少开关损耗
充分表征电容,包括有效COSS简化设计
完全表征雪崩电压和电流
 
IRFB31N20DPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:31 A
Rds On-漏源导通电阻:82 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:5.5 V
Qg-栅极电荷:70 nC
工作温度范围:- 55℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:200 W
尺寸大小:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
正向跨导-最小值:17s
下降时间:10 ns
上升时间:38 ns
典型关闭延迟时间:26 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:6 g
 
IRFB31N20DPBF其他参数

IRFB31N20DPBF其他参数 
 
IRFB31N20DPBF特性曲线图
IRFB31N20DPBF特性曲线图 
 
 
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